加工定制: 是 品牌: 进口
型号: C2937 应用范围: 放大
材料: 硅(Si) 极性: NPN型
击穿电压VCEO: 1(V) 集电极允许电流ICM: 1(A)
集电极耗散功率PCM: 1(W) 截止频率fT: 1(MHz)
结构: 点接触型 封装形式: 直插型
封装材料: 金属封装 击穿电压VCBO: 1
三极管是一种半导体电子器件,有3个引脚,晶体三极管分别为集电极(c),基极(b),发射极(e),电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。能够把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也称双极型晶体管,晶体三极管。
加工定制: 是 品牌: 进口 型号: D1641 应用范围: 放大 材料: 硅(Si) 极性: NPN型 击穿电压VCEO: 1(V) 集电极允许电流ICM: 1(A) 集电极耗散功率PCM: 1(W) 截止频率fT: 1(MHz) 结构: 点接触型 封装形式: 直插型 封装材料: 金属封装 击穿电压VCBO: 1 三极管的种类与结构 三极管分很多种,按功率大小可分为大功率管和小功率管;按电路中的工作频率可分为高频管和低频管;按半导体材料不同可分为硅管和锗管;按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区,分别称为发射区、基区和集电区,由三个区各引出一个电极,分别称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中,晶体管用字符T表示。具有电流放大作用的三极管,在内部结构上具有其特殊性,这就是:其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度,集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度;其二是基区很薄,一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。
加工定制: 是 品牌: SanKen/三垦 型号: C4138 应用范围: 放大 材料: 硅(Si) 极性: NPN型 击穿电压VCEO: 1(V) 集电极允许电流ICM: 1(A) 集电极耗散功率PCM: 1(W) 截止频率fT: 1(MHz) 结构: 点接触型 封装形式: 直插型 封装材料: 金属封装 击穿电压VCBO: 1 三极管的主要参数 工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. 特征频率fT :当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. hFE 电流放大倍数. VCEO 集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. PCM 允许耗散功率. 封装形式 指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.