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供应拆机翻新三极管D1641

价 格: 面议
型号/规格:D1641
品牌/商标:进口
封装形式:直插型
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:盒带编带包装
功率特性:
频率特性:
极性:

 

加工定制: 是 品牌: 进口
型号: D1641 应用范围: 放大
材料: 硅(Si) 极性: NPN型
击穿电压VCEO: 1(V)  集电极允许电流ICM: 1(A) 
集电极耗散功率PCM: 1(W)  截止频率fT: 1(MHz) 
结构: 点接触型 封装形式: 直插型
封装材料: 金属封装 击穿电压VCBO: 1

 三极管的种类与结构

  •   三极管分很多种,按功率大小可分为大功率管和小功率管;按电路中的工作频率可分为高频管和低频管;按半导体材料不同可分为硅管和锗管;按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区,分别称为发射区、基区和集电区,由三个区各引出一个电极,分别称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中,晶体管用字符T表示。具有电流放大作用的三极管,在内部结构上具有其特殊性,这就是:其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度,集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度;其二是基区很薄,一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。

龙成电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
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  • 联系人: 谢先生
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加工定制: 是 品牌: SanKen/三垦 型号: C4138 应用范围: 放大 材料: 硅(Si) 极性: NPN型 击穿电压VCEO: 1(V) 集电极允许电流ICM: 1(A) 集电极耗散功率PCM: 1(W) 截止频率fT: 1(MHz) 结构: 点接触型 封装形式: 直插型 封装材料: 金属封装 击穿电压VCBO: 1 三极管的主要参数   工作电压/电流   用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.   特征频率fT   :当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.   hFE   电流放大倍数.   VCEO   集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.   PCM   允许耗散功率.   封装形式   指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.

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供应场效应管28N50F

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品牌: FAIRCHILD/仙童 型号: 28N50 28N50F 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 用途: L/功率放大 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: N-FET硅N沟道 用测电阻法判别场效应管的好坏   测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

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