标称频率(Fn): 6.000MHz~48MHz
封装模式: 2×6
调整频差 : ±5ppm ~±30PPM at 25℃± 2℃
谐振电阻(Rr): ≤150Ω
负载电容(CL): 12PF ~30PF
温度频差(FL-T): ±20ppm
工作温度范围(OTR): -20℃ ~ +70℃
储存温度范围(STR): -40℃ ~ +85℃
激励功率: 10uW
静态电容(Co): <4.0PF
绝缘电阻: ≥500MΩ(DC100V±15V)
测试仪器: KH1240 、250B
年老化率: ≤±3ppm/年
其它: 印字标志清晰;外表光洁,无损伤。
标称频率(Fn): 4MHz~100MHz 封装模式: 3×8 调整频差 : ±5~±30ppm at 25℃±2℃ 谐振电阻(Rr): ≤120Ω 负载电容(CL): 12PF~20PF 温度频差(FL-T): ±20ppm 工作温度范围(OTR): -20℃ ~ +70℃ 储存温度范围(STR): -40℃ ~ +85℃ 激励功率: 10uW 静态电容(Co): <4.0PF 绝缘电阻: ≥500MΩ(DC100V±15V) 测试仪器: KH1240、250B 年老化率: ≤±3ppm/年 其它: 印字标志清晰;外表光洁,无损伤。
标称频率(Fn):12.000MHz~110MHz 封装模式:SMD3225(4pin) 调整频差:±5ppm~±30ppmat25℃±2℃ 谐振电阻(Rr):≤60Ω 负载电容(CL):6PF~20PF 温度频差(FL-T):±20ppm 工作温度范围(OTR):-20℃~+70℃ 储存温度范围(STR):-40℃~+85℃ 激励功率:100uW 静态电容(Co):<4.0PF 绝缘电阻:≥500MΩ(DC100V±15V) 测试仪器:KH1240、250B 年老化率:≤±3ppm/年 其它:印字标志清晰;外表光洁,无损伤。