标称频率(Fn): 4MHz~100MHz
封装模式: 3×8
调整频差 : ±5~±30ppm at 25℃±2℃
谐振电阻(Rr): ≤120Ω
负载电容(CL): 12PF~20PF
温度频差(FL-T): ±20ppm
工作温度范围(OTR): -20℃ ~ +70℃
储存温度范围(STR): -40℃ ~ +85℃
激励功率: 10uW
静态电容(Co): <4.0PF
绝缘电阻: ≥500MΩ(DC100V±15V)
测试仪器: KH1240、250B
年老化率: ≤±3ppm/年
其它: 印字标志清晰;外表光洁,无损伤。
标称频率(Fn):12.000MHz~110MHz 封装模式:SMD3225(4pin) 调整频差:±5ppm~±30ppmat25℃±2℃ 谐振电阻(Rr):≤60Ω 负载电容(CL):6PF~20PF 温度频差(FL-T):±20ppm 工作温度范围(OTR):-20℃~+70℃ 储存温度范围(STR):-40℃~+85℃ 激励功率:100uW 静态电容(Co):<4.0PF 绝缘电阻:≥500MΩ(DC100V±15V) 测试仪器:KH1240、250B 年老化率:≤±3ppm/年 其它:印字标志清晰;外表光洁,无损伤。
标称频率 32.768KHz~300MHz 外 形 方 型 工作电压 1.8V~5.5V±10% 调整频差 ±50ppm、100ppm 输出波形 方 波 输出幅度 ≥2.2V 上升时间 ≤10ns Max 下降时间 ≤10ns Max 电源电压稳定度对频率影响 ±10% ≤±5ppm~50ppm 占控比 45%~55% 工作温度范围 -20℃~+70℃ 温度频差 ±30ppm 存储温度范围 -50℃~+150℃ 输出负载 15~50PF 年老化率 ±3ppm 工作电流 ≤20mA