价 格: | 面议 | |
型号/规格: | BSS138LT1G | |
品牌/商标: | ON(安森美) | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 值:200mA
电压, Vds :50V
开态电阻, Rds(on):3.5ohm
电压 @ Rds测量:5V
电压, Vgs :1.5V
功耗:225mW
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:0.225W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:0.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
MMBT4401LT1G 参数信息: 类型:NPN 集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40 集电极电流Ic(max)(mA):600 直流电流增益hFE最小值(dB):100 直流电流增益hFE值(dB):300 最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200 封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150
晶体管极性:N沟道 电压, Vds :60V 开态电阻, Rds(on):7.5ohm 功耗:0.2W 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:702 功率, Pd:0.2W 外宽:3.05mm 外部深度:2.5mm 外部长度/高???:1.12mm 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电流, Id 连续:0.115A 电流, Idm 脉冲:0.8A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 阈值电压, Vgs th :2.5V