价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBT4401LT1G | |
品牌/商标: | ON(安森美) | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
极性: | |
MMBT4401LT1G
参数信息:
类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40
集电极电流Ic(max)(mA):600
直流电流增益hFE最小值(dB):100
直流电流增益hFE值(dB):300
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200
封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150
晶体管极性:N沟道 电压, Vds :60V 开态电阻, Rds(on):7.5ohm 功耗:0.2W 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:702 功率, Pd:0.2W 外宽:3.05mm 外部深度:2.5mm 外部长度/高???:1.12mm 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电流, Id 连续:0.115A 电流, Idm 脉冲:0.8A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 阈值电压, Vgs th :2.5V
类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT)-阵列 系列:- 晶体管类型:NPN,PNP 电流-集电极(Ic)():200mA 电压-集电极发射极击穿():40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度():300mV@5mA,50mA/400mV@5mA,50mA 电流-集电极截止():- 在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE):100@10mA,1V 功率-:150mW 频率-转换:300MHz,250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商设备封装:SC-88 包装:剪切带(CT) 其它名称:MBT3946DW1T1G