供应ON三极管BAW56LT1G
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BAW56LT1G | |
| 品牌/商标： | ON（安森美） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
最小反向电压VR(V):70
反向漏电流IR(?A):2.500
正向恢复电压VF最小值(V):－
正向恢复电压VF值(V):1
二极管电容CT(pF ):2
反向恢复时间trr(ns):6
类型:双共阳极二极管
封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 杨秋城
- 电话：0755-83019950/83019960
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供应ON三极管BC817-25LT1G
信息内容：类别：分离式半导体产品 家庭：晶体管(BJT)-单路 系列：- 晶体管类型：NPN 电流-集电极(Ic)（）：500mA 电压-集电极发射极击穿（）：45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：700mV@50mA,500mA 电流-集电极截止（）：- 在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：160@100mA,1V 功率-：225mW 频率-转换：100MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装：SOT-23-3 包装：剪切带(CT) 其它名称：BC817-25LT1G
供应MOS管BSS138LT1G
信息内容：晶体管极性:N 漏极电流, Id 值:200mA 电压, Vds :50V 开态电阻, Rds(on):3.5ohm 电压 @ Rds测量:5V 电压, Vgs :1.5V 功耗:225mW 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 功率, Pd:0.225W 封装类型:SOT-23 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V 电压, Vds 典型值:50V 电流, Id 连续:0.2A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
