供应 场效应管 IRF820PBF,IRF830PBF,IRF840PBF
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IRF830,MOS,220,500V,4.5A | |
| 品牌/商标： | IR | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | |
产品型号:IRF830pbf
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5
漏极电流Id(on)(A):4.5
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:500 V, 4.5A 功率MOSFET
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2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com
3、Q Q:4006262666
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供应 场效应管 IRF830B,IRF830A,IRF830
信息内容：产品型号:IRF830B 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 漏极电流Id(on)(A):8 功率PD(W):73W 通道极性:N沟 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:500 V, 4.5A 功率MOSFET 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! 2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com 3、Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 IRF820A,IRF820B,IRF820
信息内容：产品型号:IRF820 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3 漏极电流Id(on)(A):2.5 功率PD(W):50 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:500 V,2.5A 功率MOSFET 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! 2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com 3、Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
