供应E6N02 SOP-8 （20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管）
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | E6N02 | |
| 品牌/商标： | ON（安森美） | |
| 封装形式： | sop-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | |
|
MOSFETS N沟道、P沟道和互补MOSFET安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路 产品说明：
E6N02: Power MOSFET 20V 6.5A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8 特性：
Ultra Low RDS(on)
DC-DC Converters
|
dzsc/18/6753/18675340.jpg
dzsc/18/6753/18675340.jpg
(function() {if (typeof desc === 'undefined') {setTimeout(arguments.callee, 100);return;} DT.renderDesc(desc);})();- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈树辉
- 电话：0755-82534577/13076512089
- 传真：0755-82534577
- 手机：13686868407
- QQ ：
供应20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管NTMD6N02R2G
信息内容：MOSFETS N沟道、P沟道和互补MOSFET 安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路 产品说明： 描 述 ： MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC 标准包装 ： 2500 系列 ： DUAL N-CH MOS FET 型 ： 2 个 N 沟道（双） FET 特点 ： 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) ： 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 3.92A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 35 毫欧 @ 6A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)（） ： 1.2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs ： 20nC @ 4.5V 在 Vds ...
供应现代内存芯片HY57V641620ETP-H 4M*16bit
信息内容：产品名称： HY57V641620ETP-H 容量： 64M 规格： 4X16 速度： 3.3V 封装： TSOP54 接口： 133MHZ 同类产品 型号 容量 规格 速度 封装 接口 H5PS1G83EFR 1GB 128X8 E3/C4/Y5/S6/S5/G7 FBGA 1.8V H5PS5182GFR 512M 32X16 E3/C4/Y5/S6/S5/G7 FBGA 1.8V H5PS5162GFR 512M 32X16 E3/C4/Y5/S6/S5/G7 FBGA84 1.8V H5PS2562GFR r 16X16 ...
