供应20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管NTMD6N02R2G
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | NTMD6N02R2G，NTMD6N02R2 | |
| 品牌/商标： | ON（安森美） | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | |
MOSFETS
N沟道、P沟道和互补MOSFET
安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路
产品说明：
| 描 述 ： |
MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC |
| 标准包装 ： | 2500 |
| 系列 ： | DUAL N-CH MOS |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： |
20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 3.92A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： |
35 毫欧 @ 6A, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： |
1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： |
20nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： |
1100pF @ 16V |
| 功率 - ： |
730mW |
| 安装类型 ： |
表面贴装 |
| 封装/外壳 ： |
8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： |
8-SOICN |
| 包装 ： |
剪切带 (CT) |
特性：
Ultra Low RDS(on)
Higher Efficiency Extending Battery Life
Logic Level Gate Drive
Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package
Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
Avalanche Energy Specified
SO-8 Mounting Information Provided
Pb-Free Package is Available
应用：
DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈树辉
- 电话：0755-82534577/13076512089
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