供应D6N02: Power MOSFET管 20V 6A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | D6N02 | |
| 品牌/商标： | Motorola（摩托罗拉） | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | |
产品说明：
MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
描 述 ：
标准包装 ：
2500
系列 ：
DUAL N-CH MOS
FET 型 ：
2 个 N 沟道（双）
FET 特点 ：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ：
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：
3.92A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ：
35 毫欧 @ 6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（） ：
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：
20nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：
1100pF @ 16V
功率 - ：
730mW
安装类型 ：
表面贴装
封装/外壳 ：
8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装 ：
8-SOICN
包装 ：
剪切带 (CT)
D6N02: Power MOSFET 20V 6A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
特性：
Ultra Low RDS(on) 超低 RDS(on)
Higher Efficiency Extending Battery Life 更高的效率延长电池寿命
Logic Level Gate Drive 逻辑电平的栅极驱动
Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package 贴片封装 SOP-8
Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
Avalanche Energy Specified 雪崩能源指定
Pb-Free Package is Available 无铅
应用：
DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
dzsc/18/6753/18675338.jpg
dzsc/18/6753/18675338.jpg
(function() {if (typeof desc === 'undefined') {setTimeout(arguments.callee, 100);return;} DT.renderDesc(desc);})();- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈树辉
- 电话：0755-82534577/13076512089
- 传真：0755-82534577
- 手机：13686868407
- QQ ：
供应20V,6A,DUAL N-CH MOSFET管MMDF6N02HD
信息内容：产品说明： 描 述 ： MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC 标准包装 ： 2500 系列 ： DUAL N-CH MOS FET 型 ： 2 个 N 沟道（双） FET 特点 ： 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) ： 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 3.92A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 35 毫欧 @ 6A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)（） ： 1.2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs ： 20nC @ 4.5V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 1100pF @ 16V 功率 - ： 730mW ...
供应E6N02 SOP-8 （20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管）
信息内容：MOSFETS N沟道、P沟道和互补MOSFET 安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路 产品说明： 描 述 ： MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC 标准包装 ： 2500 系列 ： DUAL N-CH MOS FET 型 ： 2 个 N 沟道（双） FET 特点 ： 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) ： 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 3.92A ...
