供应小型功率继电器BRT3 -SS-112DM (JQX-115F)
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BRT3 -SS-112DM | |
| 品牌/商标： | AFE |
一.详细技术参数
Contact Arrangement 1A, 1B, 1CContact Ratines 16A 250VAC
Contact Material Ag Alloy
Pick-up Voltage ≤70%
Drop-out Voltage ≥10%
Operate time ≤7ms
Release time ≤3ms
Max. switch power 4000VA
Max. switch voltage 250VAC
Max. switch current 16A
Coil Voltage 3-24VDC
Coil Power 0.25W 0.4W
Contact Resistance ≤50mΩ
Insulation Resistance ≥500MΩ
Electtrical Life 1*105
Mechanical Life 1*107
Open Contacts 1000VAC
Coil And Contacts 5000VAC
Vibration Resistance 10-55hzdouble amplitude 1.5mm
Shock Resistance 10G(11ms)/100G(6MS)
Operit Temperature -40℃- +85℃
Mounting Method PCB
Weight (g) 12g
二.订购参考信息(Ordering Information)
BRT3 -- SS -- 1 12 D M
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① 产品型号(Model)
② 密封形式(Airproof)：
SS--密封，外壳基座胶水固定
③ 触点组数(Termination)：
1--1组 2--2组
3--3组 4--4组
④ 线圈额定电压(Coil Voltage)：
03：DC 3伏 05：DC 5伏 06：DC 6伏
09：DC 9伏 12：DC 12伏 24：DC 24伏
⑤ 线圈功耗(Coil Power)：
D:标准灵敏度（0.40W）
L:高灵敏度（0.25W）
⑥ 触点形式(Arrangement)：
无：转换型
M：常开型
外形尺寸及脚位图
dzsc/18/6753/18675334.jpg
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈树辉
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供应D6N02: Power MOSFET管 20V 6A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
信息内容：产品说明： 描 述 ： MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC 标准包装 ： 2500 系列 ： DUAL N-CH MOS FET 型 ： 2 个 N 沟道（双） FET 特点 ： 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) ： 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 3.92A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 35 毫欧 @ 6A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)（） ： 1.2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs ： 20nC @ 4.5V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 1100pF @ 16V ...
供应20V,6A,DUAL N-CH MOSFET管MMDF6N02HD
信息内容：产品说明： 描 述 ： MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC 标准包装 ： 2500 系列 ： DUAL N-CH MOS FET 型 ： 2 个 N 沟道（双） FET 特点 ： 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) ： 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 3.92A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： 35 毫欧 @ 6A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)（） ： 1.2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs ： 20nC @ 4.5V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 1100pF @ 16V 功率 - ： 730mW ...
