供应SPA20N60C3场效应管
| 价 格： | 5.00 | |
| 型号/规格： | SPA20N60C3 | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | 大功率 |
| 品牌：INFINEON/英飞凌 | 型号：SPA20N60C3 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：L/功率放大 |
| 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：600（V） |
| 夹断电压：600（V） | 跨导：3（μS） | 极间电容：7（pF） |
| 低频噪声系数：8（dB） | 漏极电流：2（mA） | 耗散功率：9（mW） |
东莞市金思来电子有限公司成立于1992年，是一家集生产、销售为一体的企业。于电子元器件的配套供应，产品有二、三极管、三端稳压管、场效应管、整流器件、肖特基二极管、开关三极管、快恢复二极管、三端稳压器、可控硅等
电话：13602373598
公司网址：www.dgjinsilai.com
- 所属城市：广东 东莞
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供应2SK104场效应管
信息内容：品牌：NIP日本日电 型号：2SK104 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 用途：HF/高频(射频)放大 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 材料：GE-N-FET锗N沟道 开启电压：50（V） 夹断电压：50（V） 跨导：7（μS） 极间电容：9（pF） 低频噪声系数：5（dB） 漏极电流：9（mA） 耗散功率：5（mW） 东莞市金思来电子有限公司成立于1992年，是一家集生产、销售为一体的企业。于电子元器件的配套供应，产品有二、三极管、三端稳压管、场效应管、整流器件、肖特基二极管、开关三极管、快恢复二极管、三端稳压器、可控硅等 电话：13602373598 公司网址：www.dgjinsilai.com
供应2SK1061场效应管
信息内容：品牌：TOS日本东芝 型号：2SK1061 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 用途：L/功率放大 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 材料：GE-N-FET锗N沟道 开启电压：60（V） 夹断电压：60（V） 跨导：7（μS） 极间电容：8（pF） 低频噪声系数：9（dB） 漏极电流：3（mA） 耗散功率：9（mW） 东莞市金思来电子有限公司成立于1992年，是一家集生产、销售为一体的企业。于电子元器件的配套供应，产品有二、三极管、三端稳压管、场效应管、整流器件、肖特基二极管、开关三极管、快恢复二极管、三端稳压器、可控硅等 电话：13602373598 公司网址：www.dgjinsilai.com
