品牌: | TOS日本东芝 | 型号: | K2996 |
种类: | 结型(JFET) | 沟道类型: | N沟道 |
导电方式: | 耗尽型 | 用途: | S/开关 |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料: | N-FET硅N沟道 |
低频噪声系数: | 1 | 极间电容: | 1 |
漏极电流: | 1 |
加工定制: 是 品牌: 进口 型号: K2003 应用范围: 开关 材料: 硅(Si) 极性: NPN型 击穿电压VCEO: 1(V) 集电极允许电流ICM: 1(A) 集电极耗散功率PCM: 1(W) 截止频率fT: 1(MHz) 结构: 点接触型 封装形式: 直插型 封装材料: 塑料封装 击穿电压VCBO: 1
品牌: 进口 型号: K2607 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 用途: MW/微波 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: N-FET硅N沟道 低频噪声系数: 1 极间电容: 1 漏极电流: 1