加工定制: | 是 | 品牌: | 进口 |
型号: | K2003 | 应用范围: | 开关 |
材料: | 硅(Si) | 极性: | NPN型 |
击穿电压VCEO: | 1(V) | 集电极允许电流ICM: | 1(A) |
集电极耗散功率PCM: | 1(W) | 截止频率fT: | 1(MHz) |
结构: | 点接触型 | 封装形式: | 直插型 |
封装材料: | 塑料封装 | 击穿电压VCBO: | 1 |
品牌: 进口 型号: K2607 种类: 结型(JFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 用途: MW/微波 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: N-FET硅N沟道 低频噪声系数: 1 极间电容: 1 漏极电流: 1
类别 分离式半导体产品 家庭 二极管,整流器 - 阵列 系列 - 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)() 580mV @ 20A 电流 - 在 Vr 时反向漏电 1mA @ 45V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 40A 电压 - (Vr)() 45V 反向恢复时间(trr) - 二极管类型 肖特基 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io) 二极管配置 1 对共阴极 安装类型 通孔