价 格: | 1.00 | |
型号/规格: | 2SJ327 | |
品牌/商标: | NIP日本日电 | |
封装形式: | P-DIT/塑料双列直插 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 散装 | |
功率特征: | |
品牌:NIP日本日电 | 型号:2SJ327 | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 |
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:60(V) |
夹断电压:60(V) | 跨导:2(μS) | 极间电容:4(pF) |
低频噪声系数:7(dB) | 漏极电流:8(mA) | 耗散功率:9(mW) |
电话:13602373598
公司网址:www.dgjinsilai.com
品牌:NIP日本日电 型号:2SJ330 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:100(V) 夹断电压:100(V) 跨导:3(μS) 极间电容:7(pF) 低频噪声系数:8(dB) 漏极电流:3(mA) 耗散功率:7(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com
品牌:NIP日本日电 型号:2SJ44 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型 用途:NF/音频(低频) 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:50(V) 夹断电压:50(V) 跨导:8(μS) 极间电容:9(pF) 低频噪声系数:3(dB) 漏极电流:9(mA) 耗散功率:2(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com