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供应2SJ330场效应管

价 格: 1.00
型号/规格:2SJ330
品牌/商标:NIP日本日电
封装形式:P-DIT/塑料双列直插
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:散装
功率特征:

品牌:NIP日本日电 型号:2SJ330 种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:100(V)
夹断电压:100(V) 跨导:3(μS) 极间电容:7(pF)
低频噪声系数:8(dB) 漏极电流:3(mA) 耗散功率:7(mW)
 

电话:13602373598    

公司网址:www.dgjinsilai.com

金思来电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈先生
  • 电话:0769-22361548/26878796
  • 传真:0769-22361586
  • 手机:13602373598
  • QQ :QQ:739136338QQ:2655598469
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供应2SJ44场效应管

信息内容:

品牌:NIP日本日电 型号:2SJ44 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型 用途:NF/音频(低频) 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:50(V) 夹断电压:50(V) 跨导:8(μS) 极间电容:9(pF) 低频噪声系数:3(dB) 漏极电流:9(mA) 耗散功率:2(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com

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供应2SJ107场效应管

信息内容:

品牌:TOS日本东芝 型号:2SJ107 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:50(V) 夹断电压:50(V) 跨导:3(μS) 极间电容:2(pF) 低频噪声系数:8(dB) 漏极电流:9(mA) 耗散功率:3(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com

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