红外线数据通信 QEC122
| 价 格： | 1.20 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | QEC122 |
| 封装 | DIP | 批号 | 08+ |
| 类型 | 通信IC |
| QEC121-23 |
| QEC113,QEC122 |
| QEC113, 122 Pinout |
| 250 |
| 光电元件 |
| 红外发射极 |
| QEC12x |
| 50mA |
| 27mW/sr @ 100mA |
| 880nm |
| 1.7V |
| 16° |
| 顶视图 |
| 通孔 |
| T-1 |
| - |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管NDS355N
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 NDS355N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
MMBTA13.SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTA13 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 30（V） 截止频率fT 125（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表MMBTA13产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Package标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（）1.2A电压 - 集电极发射极击穿（）30VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）1.5V @ 100µA, 100mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10000 @ 100mA, 5V功率 - 350mW频率 - 转换125MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装S...
