品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | NDS355N |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 30(V) | 夹断电压 | 5(V) |
跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTA13 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 30(V) 截止频率fT 125(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表MMBTA13产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Package标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)()1.2A电压 - 集电极发射极击穿()30VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1.5V @ 100µA, 100mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10000 @ 100mA, 5V功率 - 350mW频率 - 转换125MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装S...
品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FDN304P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 20(V) 夹断电压 1.5(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表FDN304P产品相片SOT-23-3产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Mold Compound Change 07/Dec/2007Wire Bonding Change 07/Nov/2008Mold Compound Change 08/April/2008产品目录绘图SuperSOT-3, SOT-23标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点逻辑...