品牌/商标 | FairChild仙童 | 型号/规格 | G15N60 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2765 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 P-FET硅P沟道 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):2.8 Ohms 汲极/源极击穿电压:30 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:200 mA功率耗散:200 mW 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SMT-3 封装:Reel
品牌/商标 IR 型号/规格 MBRD650CT 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货,,欢迎订购说明:肖特基(二极管与整流器) 6.0 Amp 50 Volt产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:50 V正向连续电流:6 A 浪涌电流:490 A配置:Dual Common Cathode 正向电压下降:0.7 V反向漏泄电流:100 uA 工作温度范围:- 40 C to + 150 C安装风格:SMD/SMT