品牌/商标 | IR | 型号/规格 | MBRD650CT |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
原装现货,,欢迎订购
说明: | 肖特基(二极管与整流器) 6.0 Amp 50 Volt |
产品: | Schottky Diodes |
峰值反向电压: | 50 V |
正向连续电流: | 6 A |
浪涌电流: | 490 A |
配置: | Dual Common Cathode |
正向电压下降: | 0.7 V |
反向漏泄电流: | 100 uA |
工作温度范围: | - 40 C to + 150 C |
安装风格: | SMD/SMT |
品牌/商标 TI 型号/规格 LM385 1.2V / 2.5V 封装 SOT32 批号 11+ 类型 其他IC 现货批发国产IC,欢迎查询订购拓扑结构:Shunt References输出电压:2.5 V 初始准确度:3 %平均温度系数(典型值):20 PPM / C 分流电流(值):20 mA工作温度:+ 70 C 封装 / 箱体:TO-92-3封装:Bulk 最小工作温度:0 C安装风格:Through Hole 分流电流(最小值):20 uAStandard Pack Qty:1000
品牌/商标 ST 型号/规格 X0405MF 封装 TO202-3 批号 06+ 类型 其他IC 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购转折电流 IBO:33 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:0.1 V关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 正向电压下降:1.8 V栅触发电压 (Vgt):0.8 V 栅极峰值反向电压:8 V栅触发电流 (Igt):0.05 mA 保持电流(Ih 值):5 mA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-202