LQM21NN1R8K10电阻器|排阻
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | MURATA | 型号/规格 | LQM21NN1R8K10 |
| 种类 | 排阻 | 性能 | 高阻 |
| 材料 | 碳膜 | 制作工艺 | 陶瓷绝缘功率型 |
| 外形 | 平面片状 | 允许偏差 | ±1% |
| 温度系数 | NTC | 额定功率 | 4（W） |
| 功率特性 | 中功率 | 频率特性 | 中频 |
| 营销方式 | 代理 | 产品性质 | 热销 |
出售各种品牌电解电容,原装现货.
| 电感: | 1.8 uH |
| 容差: | 10 % |
| 直流电流: | 50 mAmps |
| 直流电阻: | 0.57 Ohms |
| 自谐振频率: | 80 MHz |
| Q 最小值: | 45 |
| 尺寸: | 1.25 mm W x 2 mm L x 0.85 mm H |
| 端接类型: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | 0805 (2012 metric) |
| 封装: | Reel |
| 产品: | Inductors |
- 所属城市：广东 深圳
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原装IRF520N增强型MOS管P沟道
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF520N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 SB肖特基势垒栅 原装现货RF520N:100V,200mO,9.7A,48W配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.27 Ohms 汲极/源极击穿电压:100 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:9.2 A功率耗散:60 W 工作温度:+ 175 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube 最小工作温度:- 55 C
原装30CPQ060PBF耗尽型MOS管P沟道
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 30CPQ060PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 原装现货描述二极管类型:肖特基式电压, Vrrm:150V电流, If 平均:15A正向电压 Vf :540mV电流, Ifs :1.02kA工作温度范围:-55°C 到 +175°C封装形式:TO-247AC针脚数:3封装类型:TO-247AC正向电流 If:15A电流, If @ Vf:15A电流, Ifsm:1kA结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装共接:双二极管
