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原装IRF520N增强型MOS管P沟道

价 格: 1.00

品牌/商标 IR 型号/规格 IRF520N
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大
封装外形 WAFER/裸芯片 材料 SB肖特基势垒栅

原装现货RF520N:100V,200mO,9.7A,48W

配置:Single
 

 

晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.27 Ohms
 

 

汲极/源极击穿电压:100 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
 

 

漏极连续电流:9.2 A
功率耗散:60 W
 

 

工作温度:+ 175 C
安装风格:Through Hole
 

 

封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
 

 

最小工作温度:- 55 C

深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李俊龙
  • 电话:0755-83957788
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信息内容:

品牌/商标 IR 型号/规格 30CPQ060PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 原装现货描述二极管类型:肖特基式电压, Vrrm:150V电流, If 平均:15A正向电压 Vf :540mV电流, Ifs :1.02kA工作温度范围:-55°C 到 +175°C封装形式:TO-247AC针脚数:3封装类型:TO-247AC正向电流 If:15A电流, If @ Vf:15A电流, Ifsm:1kA结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装共接:双二极管

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