品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF520N |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | SB肖特基势垒栅 |
原装现货RF520N:100V,200mO,9.7A,48W
配置: | Single |
晶体管极性: | N-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 0.27 Ohms |
汲极/源极击穿电压: | 100 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏极连续电流: | 9.2 A |
功率耗散: | 60 W |
工作温度: | + 175 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220AB |
封装: | Tube |
最小工作温度: | - 55 C |
品牌/商标 IR 型号/规格 30CPQ060PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 原装现货描述二极管类型:肖特基式电压, Vrrm:150V电流, If 平均:15A正向电压 Vf :540mV电流, Ifs :1.02kA工作温度范围:-55°C 到 +175°C封装形式:TO-247AC针脚数:3封装类型:TO-247AC正向电流 If:15A电流, If @ Vf:15A电流, Ifsm:1kA结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装共接:双二极管
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFBC40PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道