价 格: | 1.00 |
品牌/商标 | TOG日本东北金属工业 | 型号/规格 | 2SK2520 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
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MOSFET 功率 POWER MOSFET SURF MOUNT
产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | dzsc/18/6329/18632985.gif 详细信息 |
配置: | Single |
晶体管极性: | N-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 0.17 Ohms |
汲极/源极击穿电压: | 60 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏极连续电流: | 5 A |
功率耗散: | 20 W |
工作温度: | + 150 C |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | CPT3 |
封装: | Reel |
品牌/商标 TI 型号/规格 LM2904 封装 SOP8 批号 11+ 类型 其他IC
品牌/商标 MURATA 型号/规格 LQM21NN1R8K10 种类 排阻 性能 高阻 材料 碳膜 制作工艺 陶瓷绝缘功率型 外形 平面片状 允许偏差 ±1% 温度系数 NTC 额定功率 4(W) 功率特性 中功率 频率特性 中频 营销方式 代理 产品性质 热销 出售各种品牌电解电容,原装现货.电感:1.8 uH 容差:10 %直流电流:50 mAmps 直流电阻:0.57 Ohms自谐振频率:80 MHz Q 最小值:45尺寸:1.25 mm W x 2 mm L x 0.85 mm H 端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:0805 (2012 metric) 封装:Reel产品:Inductors