品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | 2SA928A-Y |
应用范围 | 功率 | 击穿电压VCBO | 60(V) |
集电极允许电流ICM | 1.0(A) | 集电极耗散功率PCM | 80(W) |
截止频率fT | 50(MHz) | 结构 | 键型 |
封装形式 | TO-92LS | 封装材料 | 树脂封装 |
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP260NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 200(V) 低频跨导 27000(μS) 漏极电流 0.25(mA) 全新原装货,批发价直销!IRF630/640/9530/9540/150/250/260我司的主要业务为:彩电、音响、开关电源、玩具、节能灯、家电、智能控制器、LDE驱动等产品提供配套元件,主要经营国内外各三极管,场效应MOSFET,可控硅,IC。分销国外知名品牌ST(意法半导体)、IR(国际整流器)、FSC(仙童)、TI(德州)、ON(安森美)、HT(合泰)HIT(日立)TOSHIBA(东芝)等品牌元件。尤其是对照...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IR2520D 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 100(V) 跨导 0.2(μS) 极间电容 100(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 0.2(mA) 耗散功率 1(mW)