IRFP260NPBF MOS管N沟道
| 价 格： | 6.80 | |
| 品牌： | IR | |
| 型号： | IRFP260NPBF |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFP260NPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | TR/激励、驱动 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 200（V） |
| 低频跨导 | 27000（μS） | 漏极电流 | 0.25（mA） |
全新原装货，批发价直销！
IRF630/640/9530/9540/150/250/260
我司的主要业务为：彩电、音响、开关电源、玩具、节能灯、家电、智能控制器、LDE驱动等产品提供配套元件,主要经营国内外各三极管，场效应MOSFET,可控硅，IC。分销国外知名品牌ST（意法半导体）、IR（国际整流器）、FSC（仙童）、TI（德州）、ON（安森美）、HT（合泰）HIT（日立）TOSHIBA（东芝）等品牌元件。尤其是对照明与电源方面应用的三极管与MOS管。价格优惠，质量保证，如期供货，提供的技术支持。另：承接晶圆(三极管)代工，封装，测试承接业务。愿我们建立长期的合作伙伴关系！祝贵公司更能受到更多的客户的亲睐和支持。
深圳市亿瑞半导体科技
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IR2520D IR2520
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IR2520D 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 100（V） 跨导 0.2（μS） 极间电容 100（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 0.2（mA） 耗散功率 1（mW）
STP60NF06 P60NF06
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP60NF06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 60（V） 夹断电压 60（V） 跨导 0.25（μS） 极间电容 .02（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 2（mW） 原装现货供应代理经销电源系列IC,场效应管(MOSFET)大量现货,长期供应:场效应管(MOSFET)600V耐压:1N60,2N60,4N60,5N60,7N60,8N60,10N60,12N60... 400V耐压:IRF730,5N40,11N40500V耐压:IRF830,4N50,9N50800V耐压:3N80,7N80,10N80900V耐压:4N90,6N90,7N90,9N90电...
