品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | 2SK2698,2SK2837.2SK1358.2SK2611.D92-02.FML33S.2SC3320 |
应用范围 | 功率 | 功率特性 | 大功率 |
极性 | NPN型 | 结构 | 面接触型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 陶瓷封装 | 截止频率fT | 1(MHz) |
集电极允许电流ICM | 15-30(A) | 集电极耗散功率PCM | 150(W) |
营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRGP20B120KD.GP30B120KD-E 应用范围 功率 功率特性 大功率 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 陶瓷封装 截止频率fT N(MHz) 集电极允许电流ICM 20-30(A) 集电极耗散功率PCM 300(W) 营销方式 现货 产品性质 热销 供应IRGP20B120KD IRGP30B120KD开关三极管本公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形; 场效应,肖特基,快恢复,三端稳压,功率管,可控硅,等系列晶体管,货源充足,现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念,十多年来深受国内外厂...
品牌/商标 HIT日本日立 型号/规格 5N2519.5N3011.5N2008 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 200-300(V) 夹断电压 200-300(V) 低频跨导 N(μS) 极间电容 N(pF) 低频噪声系数 N(dB) 漏极电流 N(mA) 耗散功率 N(mW) 5N2519:Vd=250V Id=65A Pch=150W本公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形; 场效应,肖特基,快恢复,三端稳压,功率管,可控硅,等系列晶体管,货源充...