瑞萨5N2519 场效应管
| 价 格： | 8.00 |
| 品牌/商标 | HIT日本日立 | 型号/规格 | 5N2519.5N3011.5N2008 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 200-300（V） | 夹断电压 | 200-300（V） |
| 低频跨导 | N（μS） | 极间电容 | N（pF） |
| 低频噪声系数 | N（dB） | 漏极电流 | N（mA） |
| 耗散功率 | N（mW） |
5N2519：Vd=250V Id=65A Pch=150W
本公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念，十多年来深受国内外厂家、经销商的信赖和支持。真诚欢迎海内外客户洽谈合作，共谋发展
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2SC3834 2SC3835三极管(图)
信息内容：品牌/商标 SanKen三垦 型号/规格 2SC3835.2SC3833 应用范围 功率 功率特性 大功率 极性 NPN型 结构 扩散型 材料 锗(Ge) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 集电极允许电流ICM 15（A） 集电极耗散功率PCM 100（W） 营销方式 现货 产品性质 热销
K3067 K2662 K2750 K2700
信息内容：品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SK3067 K2662 K2750 K2700 应用范围 功率 功率特性 中功率 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT N（MHz） 集电极允许电流ICM N（A） 集电极耗散功率PCM N（W） 营销方式 现货 产品性质 热销
