原装30WQ06FN结型场效应管P沟道
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | 30WQ06FN |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
现货批发原装进口IC，欢迎查询订购
| 产品种类: | 肖特基（二极管与整流器） |
| RoHS: | 否 |
| 产品: | Schottky Rectifiers |
| 峰值反向电压: | 60 V |
| 正向连续电流: | 3.5 A |
| 浪涌电流: | 490 A |
| 配置: | Single Dual Anode |
| 正向电压下降: | 0.76 V at 6 A |
| 反向漏泄电流: | 2000 uA |
| 工作温度范围: | - 40 C to + 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | DPAK (TO-252AA) |
| 封装: | Tube |
- 所属城市：广东 深圳
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原装2SK2640
信息内容：品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2640 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-P-FET锗P沟道 现货批发原装进口IC，量大发货2周左右，欢迎查询订购产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/6291/18629102.gif 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.2 Ohms 汲极/源极击穿电压:800 V闸/源击穿电压:+/- 30 V 漏极连续电流:8 A功率耗散:85 W 工作温度:+ 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-3P(N)IS封装:Bulk 最小工作温度:- 55 C
HCF4051M013TR
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 HCF4051M013TR 封装 SOP 批号 09+ 类型 其他IC 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购通道数量:1 Channel 开启电阻（值）:1050 Ohms传播延迟时间:60 ns 开启时间（值）:720 ns关闭时间（值）:450 ns 电源电压（值）:20 V电源电压（最小值）:3 V 功率耗散:200 mW工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 55 C封装 / 箱体:SOIC-16 封装:Reel安装风格:SMD/SMT 线路数量（输入/输出）:8 / 1开关数量:1
