原装IRFR1205TR场效应管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFR1205TR |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | WAFER/裸芯片 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 |
- 所属城市：广东 深圳
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原装MUR420RLG
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 MUR420RLG 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:整流器 RoHS:dzsc/18/6290/18629015.gif详细信息产品:Ultra Fast Recovery Rectifier 配置:Single反向电压:200 V 正向电压下降:0.89 V恢复时间:35 ns 正向连续电流:4 A浪涌电流:125 A 反向电流 IR:5 uA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-201AD封装:Reel 工作温度:+ 175 C最小工作温度:- 65 C
原装30WQ06FN结型场效应管P沟道
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 30WQ06FN 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 GE-P-FET锗P沟道 现货批发原装进口IC，欢迎查询订购产品种类:肖特基（二极管与整流器） RoHS:否产品:Schottky Rectifiers 峰值反向电压:60 V正向连续电流:3.5 A 浪涌电流:490 A配置:Single Dual Anode 正向电压下降:0.76 V at 6 A反向漏泄电流:2000 uA 工作温度范围:- 40 C to + 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DPAK (TO-252AA)封装:Tube
