品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFPG50PBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
原装现货,欢迎查询
产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | 详细信息 |
配置: | Single |
晶体管极性: | N-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 2 Ohms |
汲极/源极击穿电压: | 1000 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏极连续电流: | 6.1 A |
功率耗散: | 190 W |
工作温度: | + 150 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-247AC |
封装: | Tube |
最小工作温度: | - 55 C |
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR1205TR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 N-FET硅N沟道
品牌/商标 ON 型号/规格 MUR420RLG 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:整流器 RoHS:dzsc/18/6290/18629015.gif详细信息产品:Ultra Fast Recovery Rectifier 配置:Single反向电压:200 V 正向电压下降:0.89 V恢复时间:35 ns 正向连续电流:4 A浪涌电流:125 A 反向电流 IR:5 uA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-201AD封装:Reel 工作温度:+ 175 C最小工作温度:- 65 C