品牌/商标 | TI | 型号/规格 | sn74lv04ansr |
封装 | SOP14 | 批号 | 2007 |
类型 | 其他IC |
现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购
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产品种类: | 变换器 |
RoHS: | dzsc/18/6287/18628761.gif 详细信息 |
电路数量: | 6 |
逻辑系列: | LV |
逻辑类型: | CMOS |
高电平输出电流: | - 12 mA |
低电平输出电流: | 12 mA |
电源电压(值): | 5.5 V |
电源电压(最小值): | 2 V |
工作温度: | + 85 C |
封装 / 箱体: | SO-14 |
封装: | Reel |
安装风格: | SMD/SMT |
工作电源电压: | 2.5 V, 3.3 V, 5 V |
品牌/商标 IR 型号/规格 40CPQ045PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 IGBT绝缘栅比极 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:肖特基(二极管与整流器) RoHS:否产品:Schottky Rectifiers 峰值反向电压:45 V正向连续电流:40 A 浪涌电流:3500 A配置:Dual Common Cathode 正向电压下降:0.59 V反向漏泄电流:4000 uA 工作温度范围:- 55 C to + 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AC封装:Tube
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFPG50PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货,欢迎查询产品种类:MOSFET 功率 RoHS: 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):2 Ohms 汲极/源极击穿电压:1000 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:6.1 A功率耗散:190 W 工作温度:+ 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AC封装:Tube 最小工作温度:- 55 C