价 格: | 面议 | |
型号/规格: | TM3055A-TL,MOS,252,30V,8A | |
品牌/商标: | SANYO | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 普通型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 700/盘 | |
功率特征: | 小功率 |
产品型号:TM3055
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.09
漏极电流Id(on)(A):8
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:30V 8A功率
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产品型号:AOD448
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005
漏极电流Id(on)(A):75A
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:30V 75A功率
产品型号:AOD410 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.065 漏极电流Id(on)(A):8 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 8A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD420 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 漏极电流Id(on)(A):10A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 10A功率MOSFET
产品型号:AOD4132 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 85A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD4412 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.007 漏极电流Id(on)(A):85A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 85A功率MOSFET