价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AO7801,AO,MOS,SOT-323-6,双P,-20V,-0.6A | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | SOT-323-6 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 | |
功率特征: | |
产品型号:AO7801
源漏极间雪崩电压VDSS(V):-20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.52
漏极电流Id(on)(A):-0.6
通道极性:双P沟道
封装/温度(℃):SOT-323-6/-55 ~150
描述:-20V -0.6A功率
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产品型号:FDG6318G
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.78
漏极电流Id(on)(A):-0.5A
通道极性:双P沟道
封装/温度(℃):SOT-323-6/-55 ~150
描述:-20V -0.5A功率
产品型号:AOD403 源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0076 漏极电流Id(on)(A):-85 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:-30V -85A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD425 源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 漏极电流Id(on)(A):-40A 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:-30V -40A功率MOSFET
产品型号:TM3055 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.09 漏极电流Id(on)(A):8 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 8A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD448 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 漏极电流Id(on)(A):75A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 75A功率MOSFET