供应 场效应管 AO4916,AO4914,4916,4914,4912
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AO4916 | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
产品型号:AO4916
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017
漏极电流Id(on)(A):8.5
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:30V 8.5A功率
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产品型号:AO4914
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018
漏极电流Id(on)(A):8.5A
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:30V 8.5A功率
产品型号:AO4912
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.026
漏极电流Id(on)(A):8.5
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:30V 8.5A功率
产品型号:AO4906
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.027
漏极电流Id(on)(A):7A
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:30V 7A功率
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AO4916L,AO4914L,AO4912L
信息内容：产品型号:AO4916 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 漏极电流Id(on)(A):8.5 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4914 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 漏极电流Id(on)(A):8.5A 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A功率MOSFET 产品型号:AO4912 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.026 漏极电流Id(on)(A):8.5 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A功率MOSFET 产品型号:AO4906 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.027 漏极电流Id(on)(A):7A 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 7A功率MOSFET
供应 场效应管 AO6701L,AO6701,AO6401
信息内容：产品型号:AO6701L 源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.135 漏极电流Id(on)(A):-2.3 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150 描述:-30V -2.3A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO6401 源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.049 漏极电流Id(on)(A):-5 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150 描述:-30V -5A功率MOSFET
