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供应 场效应管 AO6701L,AO6701,AO6401

价 格: 面议
型号/规格:AO6701L,P,-30V,-2.3A
品牌/商标:AO
封装形式:TSOP-6
环保类别:普通型
安装方式:贴片式
包装方式:3000/盘
功率特征:小功率

产品型号:AO6701L

源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.135

漏极电流Id(on)(A):-2.3

通道极性:P沟道


封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150


描述:-30V -2.3A功率
MOSFET

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产品型号:AO6401

源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.049

漏极电流Id(on)(A):-5

通道极性:P沟道


封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150


描述:-30V -5A功率
MOSFET

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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供应 场效应管 AO6702L,AO6702,BSL202SN,AO6408

信息内容:

产品型号:AO6702L 源漏极间雪崩电压VDSS(V):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.5 漏极电流Id(on)(A):3.8 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150 描述:20V 3.8A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:BSL202SN 源漏极间雪崩电压VDSS(V):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 漏极电流Id(on)(A):7.5A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150 描述:20V 7.5A功率MOSFET

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供应 场效应管 AO6400,AO6704,AO6402,AO6402A

信息内容:

产品型号:AO66704 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.065 漏极电流Id(on)(A):3.6 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150 描述:30V 3.6A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO6400 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 漏极电流Id(on)(A):6.9A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150 描述:30V 6.9A功率MOSFET

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