价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AO6701L,P,-30V,-2.3A | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | TSOP-6 | |
环保类别: | 普通型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 | |
功率特征: | 小功率 |
产品型号:AO6701L
源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.135
漏极电流Id(on)(A):-2.3
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150
描述:-30V -2.3A功率
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产品型号:AO6401
源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.049
漏极电流Id(on)(A):-5
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150
描述:-30V -5A功率
产品型号:AO6702L 源漏极间雪崩电压VDSS(V):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.5 漏极电流Id(on)(A):3.8 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150 描述:20V 3.8A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:BSL202SN 源漏极间雪崩电压VDSS(V):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 漏极电流Id(on)(A):7.5A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150 描述:20V 7.5A功率MOSFET
产品型号:AO66704 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.065 漏极电流Id(on)(A):3.6 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150 描述:30V 3.6A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO6400 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 漏极电流Id(on)(A):6.9A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150 描述:30V 6.9A功率MOSFET