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供应 场效应管 AO4466,AO4422,4466,4422,4418

价 格: 面议
型号/规格:AO4466,SOP-8,MOS,30V,9.4A
品牌/商标:AO
封装形式:SOP-8
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:3000/盘
功率特征:小功率

产品型号:AO4466

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.023

漏极电流Id(on)(A):9.4

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150


描述:30V 9.4A功率
MOSFET

如需了解更多的产品信息:
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产品型号:AO4422

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015

漏极电流Id(on)(A):11A

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150


描述:30V 11A功率
MOSFET

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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供应 场效应管 AO4615,AO4609L,4615,MDS9754A

信息内容:

产品型号:AO4615 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.024 漏极电流Id(on)(A):7.2/-5.7 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 7.2A /-30V -5.7A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4609L 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016 漏极电流Id(on)(A):8.5/-3 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A / -30V -3A功率MOSFET

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供应 场效应管 AO4818L , AO4818 , 4818

信息内容:

产品型号:AO4818L 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 漏极电流Id(on)(A):8.5 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4822 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016 漏极电流Id(on)(A):8.5A 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A功率MOSFET

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