价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AO4818L,MOS,AO,30V,8.5A | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | SOP-8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 | |
功率特征: | 小功率 |
产品型号:AO4818L
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017
漏极电流Id(on)(A):8.5
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:30V 8.5A功率
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产品型号:AO4822
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016
漏极电流Id(on)(A):8.5A
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:30V 8.5A功率
产品型号:AO4824 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.017 漏极电流Id(on)(A):8.5 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4822 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016 漏极电流Id(on)(A):8.5A 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A功率MOSFET
产品型号:AO4900 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.027 漏极电流Id(on)(A):6.9 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 6.9A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4918 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0145 漏极电流Id(on)(A):9.3A 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 9.3A功率MOSFET