价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AO4419,AO,MOS,SOP-8,-30V,-9.7A | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | SOP-8 | |
环保类别: | 普通型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 | |
功率特征: | 小功率 |
产品型号:AO4419
源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02
漏极电流Id(on)(A):-9.7
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:-30V -9.7A功率
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产品型号:AO4411
源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05
漏极电流Id(on)(A):-6A
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:-30V -6A功率
产品型号:AO4406 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.014 漏极电流Id(on)(A):11.5 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 11.5A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4822 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016 漏极电流Id(on)(A):8.5A 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 8.5A功率MOSFET
产品型号:AO4466 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.023 漏极电流Id(on)(A):9.4 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 9.4A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4422 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 漏极电流Id(on)(A):11A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 11A功率MOSFET