价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AOD496,AO,SOT-252,MOS,30V,62A | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 2500/盘 | |
功率特征: | |
产品型号:AOD496
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0095
漏极电流Id(on)(A):62
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:30V 62A功率MOSFET
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产品型号:AOD448
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005
漏极电流Id(on)(A):75A
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150
描述:30V 75A功率
产品型号:AOD472A 源漏极间雪崩电压VDSS(V):25 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 漏极电流Id(on)(A):50 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:25V 50A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD448 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 漏极电流Id(on)(A):75A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 75A功率MOSFET
产品型号:AO3416 源漏极间雪崩电压VDSS(V):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022 漏极电流Id(on)(A):6.5 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-23/-55 ~150 描述:20V 6.5A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4918 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0145 漏极电流Id(on)(A):9.3A 通道极性:双N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 9.3A功率MOSFET