优势IRFB38N20D耗尽型MOS管N沟道
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRFB38N20D |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
| 材料 | GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压 | 2（V） |
| 夹断电压 | 20（V） | 跨导 | 1（μS） |
| 极间电容 | 1（pF） | 低频噪声系数 | 1（dB） |
| 漏极电流 | 1（mA） | 耗散功率 | 1（mW） |
原装拆机IR功率管，TO-220封装，200V44A0.054欧，多用于逆变器，开关电源，次级电源等。
IRFB260N,IRFB23N20D,IRFB23N15,IRFB31N20D,IRFB42N20D,IRFB52N15,IRFB59N10;
长期大量现货供应系列拆机及翻新三极管，欢迎来人来电0754-84472126方先生洽谈合作
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优势大电流场效应管FDP038AN06
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 仙童 型号/规格 FDP038AN06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） FAIRCHILD仙童 场效应管 FDP3632 100V 80A 0.009欧姆FDP050AN06 60V 0.0049欧姆FDP060AN08 FDP038AN06FDP032N08FDP025N06FDP047AN08FDP3652FDP2532FDP2552 长期现货优势供应，欢迎来人来电查询...
拆机场效应管K2842,K2543,K3505
信息内容：品牌/商标 TOSHIBA(东芝） 型号/规格 K2842,K2543,K3505,K2662 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5（V） 夹断电压 500（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
