品牌/商标 | FAIRCHILD 仙童 | 型号/规格 | FDP038AN06 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 2.5(V) | 夹断电压 | 60(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
FAIRCHILD仙童 场效应管 FDP3632 100V 80A 0.009欧姆
FDP050AN06 60V 0.0049欧姆
FDP060AN08
FDP038AN06
FDP032N08
FDP025N06
FDP047AN08
FDP3652
FDP2532
FDP2552 长期现货优势供应,欢迎来人来电查询订购。产品价格以当天报价为准。
品牌/商标 TOSHIBA(东芝) 型号/规格 K2842,K2543,K3505,K2662 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5(V) 夹断电压 500(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW)
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRL3103 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 0.7(V) 夹断电压 20(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW)