结型场效应管N沟道 MUR3040PTG
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | ON | 型号/规格 | MUR3040PTG |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
原装现货
描述- 二极管类型:Fast Recovery
- 电压, Vrrm:400V
- 电流, If 平均:30A
- 正向电压 Vf :1.25V
- 时间, trr :60ns
- 电流, Ifs :150A
- 工作温度范围:-65°C 到 +175°C
- 封装形式:TO-218AC
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 封装类型:TO-218AC
- 时间, trr 典型值:60ns
- 电流, Ifsm:150A
- 结温, Tj :175°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李俊龙
- 电话：0755-83957788
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原装2SC3320场效应管
信息内容：品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SC3320 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 GEP/互补类型 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 MES金属半导体
原装SI6435DQ
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 SI6435DQ 封装 TSSOP8 批号 2007 类型 其他IC 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购配置:Single Triple Drain Quad Source 晶体管极性:P-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:27 m Ohms 汲极/源极击穿电压:- 30 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:- 4.5 A功率耗散:1.3 W 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-8封装:Reel 最小工作温度:- 55 CStandard Pack Qty:2500
