原装2SC3320场效应管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | FUJI | 型号/规格 | 2SC3320 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | GEP/互补类型 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | MES金属半导体 |
- 所属城市：广东 深圳
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原装SI6435DQ
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 SI6435DQ 封装 TSSOP8 批号 2007 类型 其他IC 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购配置:Single Triple Drain Quad Source 晶体管极性:P-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:27 m Ohms 汲极/源极击穿电压:- 30 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:- 4.5 A功率耗散:1.3 W 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-8封装:Reel 最小工作温度:- 55 CStandard Pack Qty:2500
原装IRFD9120PBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFD9120PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/特殊外形 材料 GE-P-FET锗P沟道 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:MOSFET 小信号 RoHS:dzsc/18/6267/18626763.gif 详细信息配置:Single Dual Drain 晶体管极性:P-Channel汲极/源极击穿电压:100 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V漏极连续电流:1 A 功率耗散:1300 mW工作温度:+ 175 C 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:HexDIP-4 封装:Tube最小工作温度:- 55 C
