品牌/商标 | ST | 型号/规格 | 78M05 |
批号 | 09+ | 封装 | TO-252 |
营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 小规模 |
工作温度 | 0~70(℃) | 静态功耗 | 1250(mW) |
类型 | 稳压IC |
Maximum Output current IOM: 0.5 A
Output voltage VO: 5V
Continuous total dissipation PD: 1.25 W
Input Voltage Vi: 35V
Operating Junction Temperature Range TOPR: 0-+125(℃)
Quiescent Current Iq: 4.2MA
品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQP12N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 跨导 13S(μS) 漏极电流 12A(mA) 耗散功率 225W(mW) 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:12A电压, Vds :600V在电阻RDS(上):700mohm封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:180W功耗:180W封装类型:TO-220 (SOT-78B)封装类型, 替代:SOT-78B电流, Idm 脉冲:48A通态电阻, Rds on :700mohm阈值电压, Vgs th :5V
特色标志 特价 品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 IRFS730B 封装 TO-220F 极限电压 400(V) 极限电流 6(A) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 400V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1歐姆@ 3A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 625pF @ 25V功率 - 73W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V封裝/外殼 TO-220F