高压场效应管 FQP12N60C/FQP12N60/12N60
| 价 格： | 3.50 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQP12N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 跨导 | 13S（μS） |
| 漏极电流 | 12A（mA） | 耗散功率 | 225W（mW） |
描述
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id 连续:12A
- 电压, Vds :600V
- 在电阻RDS（上）:700mohm
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 功率, Pd:180W
- 功耗:180W
- 封装类型:TO-220 (SOT-78B)
- 封装类型, 替代:SOT-78B
- 电流, Idm 脉冲:48A
- 通态电阻, Rds on :700mohm
- 阈值电压, Vgs th :5V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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场效应三极管IRFS730B
信息内容：特色标志 特价 品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 IRFS730B 封装 TO-220F 极限电压 400（V） 极限电流 6（A） 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 400V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1歐姆@ 3A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 625pF @ 25V功率 - 73W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V封裝/外殼 TO-220F
肖特基二极管 MBR2060CT/MBR2060
信息内容：产品类型 肖特基管 品牌/商标 NAMC 型号/规格 MBR2060CT 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 功率特性 中功率 反向电压VR 60（V） 正向直流电流IF 20A（A） 描述二极管类型:肖特基式电压, Vrrm:60V电流, If 平均:10A正向电压 Vf :950mV电流, Ifs :150A封装形式:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)器件标记:MBR2060CT封装类型:TO-220AB正向电流 If:10A电流, If @ Vf:10A电流, Ifsm:150A结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装
