二极管1N5819肖特二极管
| 价 格： | 55.00 |
| 产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | 广半 |
| 型号/规格 | 1N5819 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 圆灯 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 正向直流电流IF | 1（mA） |
- 所属城市：广东 东莞
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场效应管5N60 DG5N60 TO-220 原装
信息内容：品牌/商标 东光 型号/规格 5N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 650（V） 跨导 4000（μS） 极间电容 8（pF） 低频噪声系数 23（dB） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 250（mW）
场效应管12N60 DG12N60 TO-220 原装
信息内容：品牌/商标 东光 型号/规格 12N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 650（V） 跨导 4000（μS） 极间电容 1760（pF） 低频噪声系数 23（dB） 漏极电流 12000（mA） 耗散功率 240000（mW） 原厂直销，价格优惠，质量保证！产品参数 T=25 Characteristics(参数）Symbol(符号）Value(额定值）Units(单位）漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d12A栅源电压V gs±30V...
