场效应管12N60 DG12N60 TO-220 原装
| 价 格： | 2.80 |
| 品牌/商标 | 东光 | 型号/规格 | 12N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 650（V） |
| 跨导 | 4000（μS） | 极间电容 | 1760（pF） |
| 低频噪声系数 | 23（dB） | 漏极电流 | 12000（mA） |
| 耗散功率 | 240000（mW） |
原厂直销，价格优惠，质量保证！
产品参数 T=25
| Characteristics(参数） | Symbol(符号） | Value(额定值） | Units(单位） |
| 漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
| 连续漏极电流 | I d | 12 | A |
| 栅源电压 | V gs | ±30 | V |
| 雪崩能量 | E as | 160 | mJ |
| 耗散功率 | P d | 156 | W |
| 储存温度 | T stg | -55～150 | ℃ |
| 热阻（结到壳） | R jc | 0.85 | ℃/W |
| 正向压降 | V sd | 1.4 | V |
- 所属城市：广东 东莞
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场效应管6N60 DG6N60 TO-220 原装
信息内容：品牌/商标 东光 型号/规格 6N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 650（V） 跨导 4000（μS） 极间电容 1300（pF） 低频噪声系数 23（dB） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 1300（mW） 原厂直销，价格优惠，质量保证！产品参数 T=25 Characteristics(参数）Symbol(符号）Value(额定值）Units(单位）漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d6A栅源电压V gs±30V雪崩能...
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