品牌/商标 | TI | 型号/规格 | NE5532DR |
封装 | SOP | 批号 | 09+ |
类型 | 其他IC |
现货批发原装进口IC,欢迎查询订购
|
输入补偿电压: | 4 mV |
输入偏流(值): | 800 nA |
转换速度: | 9 V/us |
工作电源电压: | 30 V |
电源电流: | 16 mA |
工作温度: | + 70 C |
最小工作温度: | 0 C |
封装 / 箱体: | SOIC-8 |
封装: | Reel |
双重电源电压: | +/- 9 V, +/- 12 V |
双重电源电压: | +/- 15 V |
最小双重电源电压: | +/- 5 V |
安装风格: | SMD/SMT |
Standard Pack Qty: | 2500 |
技术: | Bipolar |
电压增益 dB: | 100 dB |
品牌/商标 ON 型号/规格 MUR460RLG 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 P-FET硅P沟道 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:整流器 RoHS:dzsc/18/6241/18624129.gif 详细信息产品:Ultra Fast Recovery Rectifier 配置:Single反向电压:600 V 正向电压下降:1.28 V恢复时间:75 ns 正向连续电流:4 A浪涌电流:110 A 反向电流 IR:10 uA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-201AD封装:Reel 工作温度:+ 175 C最小工作温度:- 65 C
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR310 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-P-FET锗P沟道 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/6241/18624198.gif 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):3.6 Ohms 汲极/源极击穿电压:400 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:1.7 A功率耗散:2.5 W 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DPAK封装:Reel 最小工作温度:- 55 C