| 品牌/商标 | ON | 型号/规格 | MUR460RLG |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购
| 产品种类: | 整流器 |
| RoHS: | dzsc/18/6241/18624129.gif 详细信息 |
| 产品: | Ultra Fast Recovery Rectifier |
| 配置: | Single |
| 反向电压: | 600 V |
| 正向电压下降: | 1.28 V |
| 恢复时间: | 75 ns |
| 正向连续电流: | 4 A |
| 浪涌电流: | 110 A |
| 反向电流 IR: | 10 uA |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | DO-201AD |
| 封装: | Reel |
| 工作温度: | + 175 C |
| 最小工作温度: | - 65 C |
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR310 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-P-FET锗P沟道 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/6241/18624198.gif 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):3.6 Ohms 汲极/源极击穿电压:400 V闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:1.7 A功率耗散:2.5 W 工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DPAK封装:Reel 最小工作温度:- 55 C
品牌/商标 ST 型号/规格 STP75NF75 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 P-FET硅P沟道